2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。A．12AB．25AC．36AD．40A

2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

A．12A

B．25A

C．36A

D．40A

参考答案和解析
12A

相关考题：

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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某电压源的电压与电流为非关联参考方向,已知其电压为5V,电流为2A,则该电压源提供的功率为_________W。
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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
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功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
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增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
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场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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关于电源等效变换的关系，下列叙述正确的是（ ）。A.当n个电压源串联时，可以等效为一个电压源US，其数值为n个串联电压源电压的代数和B.当n个电流源串联时，可以等效为一个电流源iS，其数值为n个串联电流源电流的代数和C.当一个电压源US与一个电流源iS相并联时，可以等效为电压源USD.当一个电压源US与一个电流源iS相串联时，可以等效为电流源IS
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某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A、耗尽型管B、增强型管C、绝缘栅型D、无法确定
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描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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一个内阻为0.5Ω的电压源，其开路电压为15V。则当负载电流为4A时，负载电压为（）A、15VB、13VC、17VD、2V
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功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
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实验测得某有源二端线性网络的开路电压为6V。当外接电阻R时，其端电压为4V，电流为2A，则该网络的戴维宁等效电压源的参数为（）。A、US=4V、R0=3ΩB、US=6V、R0=2ΩC、US=6V、R0=1Ω
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一单限电压比较器，其饱和输出电压为 12V，若反相端输入电压为3V，则当同相端输入电压为4V时，输出 （） V；当同相端输入电压为2V时，输出为（）V。
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场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
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JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
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下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
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电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
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多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
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填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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单选题某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A耗尽型管B增强型管C绝缘栅型D无法确定
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判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
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单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
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多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
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填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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