某N沟道增强型MOSFET，其源和衬底接地，栅极和漏极始终短接。当栅极电压为3V时，测得漏源电流IDS为1mA；当栅极电压为4V时，测得漏源电流IDS为9mA。 （1）试计算该器件的VT 和β。 （2）当栅极电压为5V时，器件的跨导为多少？

某N沟道增强型MOSFET，其源和衬底接地，栅极和漏极始终短接。当栅极电压为3V时，测得漏源电流IDS为1mA；当栅极电压为4V时，测得漏源电流IDS为9mA。 （1）试计算该器件的VT 和β。 （2）当栅极电压为5V时，器件的跨导为多少？

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场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
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MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板
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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
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增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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当外加阳极电压一定时,将栅极电压由零逐渐降低,阳极电流也减少,当栅极电压为某一负值时(Ug0),阳极电流降为零,此时对应的负栅偏压叫()栅压。 A.饱和B.截止C.动态D.静态
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
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场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极；B.漏极；C.栅极；
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关于电源等效变换的关系，下列叙述正确的是（ ）。A.当n个电压源串联时，可以等效为一个电压源US，其数值为n个串联电压源电压的代数和B.当n个电流源串联时，可以等效为一个电流源iS，其数值为n个串联电流源电流的代数和C.当一个电压源US与一个电流源iS相并联时，可以等效为电压源USD.当一个电压源US与一个电流源iS相串联时，可以等效为电流源IS
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描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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跨导S在数值上等于阳极电压Ua为常数的条件下，栅极电压Ug微量变化所引起的阳极电流Ia的相应改变。（）对阳极电流的控制能力很强。A、S越大，说明栅极电流B、S越大，说明栅极电压C、S越小，说明栅极电压D、S越大，说明栅极电流
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场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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当外加阳极电压一定时，将栅极电压由零逐渐降低，阳极电流也减少，当栅极电压为某一负值时（Ug0），阳极电流降为零，此时对应的负栅偏压叫（）栅压。A、饱和B、截止C、动态D、静态
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场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
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场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
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从栅极输入，从漏输出的是共（）极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。
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下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
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IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极   栅极C、栅极、源极  漏极D、发射极、栅极、集电极
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晶闸管三个电极分别叫做（）.A、阳极阴极和控制极B、阳极阴极和栅极C、屏极阴极和控制极D、漏极源极和栅极
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判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
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单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A阳极、阴极、门极B阳极、阴极   栅极C栅极、源极  漏极D发射极、栅极、集电极
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单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
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问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？
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单选题下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极
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