2、当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

2、当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

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相关考题：

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定
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MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板
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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
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当环境温度升高时,二极管的反向电流将() A、增大B、减小C、不变
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功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
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增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极；B.漏极；C.栅极；
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描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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当温度升高，硅二极管的反向饱和电流将（）。A、减小B、不变C、增加D、取决于外加电压值
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当温度升高后，二极管的正向电压减小，反向电流增大。
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场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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当二极管反向接法时，反向电流随（）变化较大。A、电压B、温度C、电阻D、电容
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硅稳压二极管的稳定电压U，与温度有关，当温度变化时，U将随着变化。
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场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
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当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
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场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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当温度升高后，二极管的正向电压（），反向电流（）。
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PN结的反向漏电流（）而急剧增大。A、随着电压的升高B、随着电压的降低C、随着温度的升高D、随着温度的降低
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随着温度的升高，二极管反向电流几乎不变即与温度无关。
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填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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单选题当二极管反向接法时，反向电流随（）变化较大。A电压B温度C电阻D电容
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判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
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单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
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多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
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