判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似,只是后者制备的掩膜较薄,而非立体零件。A对B错

判断题
光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似,只是后者制备的掩膜较薄,而非立体零件。
A

B


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

能够用紫外光擦除ROM中的程序的只读存储器称为()。A.掩膜ROMB.PROMC.EPROMD.EEPROM

金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜,带胶蒸发或溅射所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂膜的同时,把胶膜上的金属一起去除干净。()

器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻

在进行空间分析时,经常设置Mask(掩膜),设置掩膜的作用是什么?

掩膜ROM只读存储器的内容是不可以改写的

能用紫外线光擦除ROM中的程序的只读存储器为()A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM

80C51含()掩膜ROM。

89C51采用的内部程序存储器是()。A、EPROMB、ROMLessC、FlashD、掩膜ROM

按照数据写入方式特点的不同,ROM可分为掩膜ROM,(),()。

二元掩膜

能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为()。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM

填空题光化学腐蚀制备掩膜采用()受到光照射而凝固,不受光的部分仍然为液态,这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的()和()两道工序合二为一。

问答题解释亮场掩膜版和暗场掩膜版。

填空题光掩膜法(SBC)是()(国家名)的Cubital公司研发成功的,可以不需要数控技术。

单选题掩膜型ROM可简记为()。APROMBMROMCEPROMDEEPROM

判断题电子束光刻主要用于制作掩膜。A对B错

判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A对B错

名词解释题PSM移相掩膜

单选题某个PCB中,安全间距过小,加工中哪一工艺步骤最可能失败()。A阻焊掩膜B光绘C蚀刻D钻孔

问答题使用什么材料制作投影掩膜板,投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么?

判断题制备光刻掩膜版,希望黑白区域间的过渡区越大越好。A对B错

问答题描述投影掩膜版和光掩膜版的区别?

判断题光掩膜法中一次固化是一个截面,而光固化成形是逐点成面,因而光掩膜法成形效率比光固化成形高得多。A对B错

判断题光掩膜法中光敏树脂的浪费比光固化成形更低。A对B错

问答题掩膜版的对准法则,说明对准误差有哪些?

问答题什么是光敏度,移相掩膜,驻波效应?

填空题化学加工采用()制备掩膜,不仅将涂覆和刻划两道工序合二为一,而且可以做到更加细密。