二元掩膜

二元掩膜


相关考题:

可以多次编程的只读存储器是A.PROMB.EPROMC.EEPROMD.掩膜式ROME.EPRAM

《警务实战基础训练教程》中基本防护技术有()。A、格挡、反击、掩肘、闪躲、搂抱B、反击、掩肘、闪躲、搂抱C、格挡、搂抓、掩肘、闪躲、提膝D、格挡、搂抓、掩肘、闪躲

金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜,带胶蒸发或溅射所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂膜的同时,把胶膜上的金属一起去除干净。()

“以虚掩实”的辩论技巧,就是指辩论中的以心掩物、以神掩形、以抽象掩具体、以略述掩详述等,使语言含蕴更加丰富、更加深刻,更加有力也更加有效。

在进行空间分析时,经常设置Mask(掩膜),设置掩膜的作用是什么?

掩膜ROM只读存储器的内容是不可以改写的

掩膜型ROM可简记为()。A、PROMB、MROMC、EPROMD、EEPROM

80C51含()掩膜ROM。

89C51采用的内部程序存储器是()。A、EPROMB、ROMLessC、FlashD、掩膜ROM

按照数据写入方式特点的不同,ROM可分为掩膜ROM,(),()。

能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为()。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM

在生产过程中完成程序写入的只读存储器称为()。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、E2PROM

AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是()。A、EPROMB、FlashC、SFRD、掩膜ROM

填空题光化学腐蚀制备掩膜采用()受到光照射而凝固,不受光的部分仍然为液态,这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的()和()两道工序合二为一。

判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似,只是后者制备的掩膜较薄,而非立体零件。A对B错

判断题电子束光刻主要用于制作掩膜。A对B错

判断题在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错

名词解释题PSM移相掩膜

问答题使用什么材料制作投影掩膜板,投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么?

单选题某个PCB中,安全间距过小,加工中哪一工艺步骤最可能失败()。A阻焊掩膜B光绘C蚀刻D钻孔

判断题光掩膜法中一次固化是一个截面,而光固化成形是逐点成面,因而光掩膜法成形效率比光固化成形高得多。A对B错

判断题光掩膜法中光敏树脂的浪费比光固化成形更低。A对B错

问答题解释亮场掩膜版和暗场掩膜版。

名词解释题二元掩膜

问答题掩膜版的对准法则,说明对准误差有哪些?

判断题对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A对B错

问答题什么是光敏度,移相掩膜,驻波效应?