光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形
简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
在进行空间分析时，经常设置Mask（掩膜），设置掩膜的作用是什么？
丙烯主要用途正确的是（）A、用于制作丙烯晴、环氧丙烷、丙酮等B、用于制作香料、雾状泡沫等C、用于制作食品类原料D、用于制作泡沫、干粉、丙酮等
掩挡与尼龙带组合式装置分掩块、（）和尼龙带三个主要部分。A、底座B、支架C、座架D、掩挡
凹木可使用（）的横垫木与掩木配合制作。A、坚固B、紧实C、良好D、优质
单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）A、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B、表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D、表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
89C51采用的内部程序存储器是（）。A、EPROMB、ROMLessC、FlashD、掩膜ROM
按照数据写入方式特点的不同，ROM可分为掩膜ROM，（），（）。
凹木可用坚实的横垫木与掩木配合制作，必要时，掩木的斜面应尽可能按被掩圆柱体半径制作成弧面，并用螺栓与横垫木牢固连接，每块掩木使用的螺栓数不得少于（）。A、2个B、3个C、4个D、5个
填空题光化学腐蚀制备掩膜采用（）受到光照射而凝固，不受光的部分仍然为液态，这实质上是将化学加工常规制备掩膜时的（）和（）两道工序合二为一。
单选题掩膜型ROM可简记为（）。APROMBMROMCEPROMDEEPROM
单选题凹木可使用（）的横垫木与掩木配合制作。A坚固B紧实C良好D优质
判断题光掩膜法成形原理上与光化学加工制备掩膜时原理类似，只是后者制备的掩膜较薄，而非立体零件。A对B错
问答题使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么？
判断题光掩膜法中一次固化是一个截面，而光固化成形是逐点成面，因而光掩膜法成形效率比光固化成形高得多。A对B错
单选题凹木可用坚实的横垫木与掩木配合制作，必要时，掩木的斜面应尽可能按被掩圆柱体半径制作成弧面，并用螺栓与横垫木牢固连接，每块掩木使用的螺栓数不得少于（）。A2个B3个C4个D5个