单选题掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。A不确定B0C1D可能为0,也可能为1

单选题
掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。
A

不确定

B

0

C

1

D

可能为0,也可能为1


参考解析

解析: 暂无解析

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用KX206连接pioneer进行mos测试时,出现mos分值持续在1左右,下面的解决方法合理的是:()。A、检查耳机线是否插紧,并重新插拔一下B、检查手机的音量是否为2-3格,不是的话必须在通话的过程中调整过来C、CH通道是否选对D、检查数据线是否存在问题E、检查mos盒是否存在问题

在MOS测试中推荐手机数据线连接到USB Hub上

MOS管

静态RAM的基本存储电路,是由6个MOS管组成的()来存储信息的;动态RAM芯片是以MOS管栅极()是否充有电荷来存储信息的。

掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。 A、不确定B、0C、1D、可能为0,也可能为1

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结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

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UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管

在连接AQM模块时,TI8.x可以进行PESQ(MOS)测试

衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。

UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

MOS场效应管的输入电流为()。

当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管

IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

填空题目前使用的()可多次写入的存储单元是在MOS管中置入()的方法实现的。

多选题关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。

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