判断题由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。A对B错

判断题
由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
A

B


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下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是:A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失B.SRAM的集成度比DRAM高C.DRAM的存取速度比SRAM快D.CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成

主存储器由MOS半导体存储器组成。()

由 DRAM 构成的存储器所存储的信息不需要定时刷新。() 此题为判断题(对,错)。

计算机的(6)通常由动态RAM(DRAM)构成。A.CMOS参数存储器B.CacheC.外存储器D.主存储器

DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失,需定时给电容上的电荷进行补充,这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的,该过程称为DRAM的______。

下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.SRAM比DRAM存储密度高Ⅱ.相同存储容量的SRAM比DRAM成本高Ⅲ.SRAM比DRAM速度快Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新其中错误的叙述是______。A) Ⅰ和ⅡB) Ⅱ和ⅢC) Ⅲ和ⅣD) Ⅰ和ⅣA.B.C.D.

PC中既使用ROM,也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中,错误的是( )。A.ROM芯片掉电后,存放在芯片中的内容会丢失B.PC中CMOS RAM中的信息,在PC关机后一般不会丢失C.由于SRAM的速度比DRAM快,因此,在PC中,SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成D.DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路,SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路,因此,DRAM的集成度比SRAM的集成度高

下列关于DRAM的叙述,正确的是A.DRAM是一种随机存储器B.DRAM是一种易失性存储器,断电则丢失存储信息C.DRAM需要刷新操作,不定时刷新,数据会丢失D.DRAM是一种半导体存储器E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配

以下说法中错误的是()。A.与DRAM相比,SRAM的集成度低,存取速度快B.PC机的主存储器常由DRAM构成C.RAM需要刷新,且断电后信息会丢失D.ROM是一种非易失性存储器,断电后仍可保持记忆

下面关于DRAM存储器描述错误的是()A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C、DRAM存储器属于非易失的存储器D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

DRAM需要刷新的原因是因为DRAM靠()存储电荷,如果不刷新,会因为漏电而失去存储的信息。

用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种,其中DRAM以电容来存储信息,需要定期进行()

半导体SRAM靠()存储信息,半导体DRAM靠()存储信息。

静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

静态RAM的基本存储电路,是由6个MOS管组成的()来存储信息的;动态RAM芯片是以MOS管栅极()是否充有电荷来存储信息的。

掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。 A、不确定B、0C、1D、可能为0,也可能为1

由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。

DRAM是()。A、只能读出的存储器B、只能写入的存储器C、不关机信息静态保存的存储器D、信息需定时刷新的读/写存储器

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是().①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

单选题某容量为256M的存储器,由若干4M*8位的DRAM芯片构成,该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是:()A19B22C30D36

单选题DRAM是()。A只能读出的存储器B只能写入的存储器C不关机信息静态保存的存储器D信息需定时刷新的读/写存储器

问答题请判断下面的叙述中,哪些是正确的? (1)半导体ROM是一种非易失性存储器。 (2)半导体存储器是非永久性存储器,断电时不能保存信息。 (3)同SRAM相比,由于DRAM需要刷新,所以功耗大。 (4)由于DRAM靠电容存储电荷,所以需要定期刷新。 (5)双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高。 (6)目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成,称为FAMOS型EPROM,该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

填空题半导体SRAM靠()存储信息,半导体DRAM靠()存储信息。

单选题掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。A不确定B0C1D可能为0,也可能为1

问答题静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?

单选题随机存储器RAM的特点是()。ARAM中只能读出信息BRAM中既不可写入、也不可读出信息CRAM中既可写入信息,也可读出信息DRAM中只能写入信息