判断题由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。A对B错
判断题
由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
A
对
B
错
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解析：
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下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中，正确的是：A．SRAM和DRAM都是RAM芯片，掉电后所存放的内容会丢失B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．SRAM比DRAM存储密度高Ⅱ．相同存储容量的SRAM比DRAM成本高Ⅲ．SRAM比DRAM速度快Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中错误的叙述是______。A) Ⅰ和ⅡB) Ⅱ和ⅢC) Ⅲ和ⅣD) Ⅰ和ⅣA．B．C．D．
PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，错误的是( )。A．ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般不会丢失C．由于SRAM的速度比DRAM快，因此，在PC中，SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成D．DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路，SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路，因此，DRAM的集成度比SRAM的集成度高
下列关于DRAM的叙述，正确的是A.DRAM是一种随机存储器B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失D.DRAM是一种半导体存储器E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配
以下说法中错误的是()。A.与DRAM相比，SRAM的集成度低，存取速度快B.PC机的主存储器常由DRAM构成C.RAM需要刷新，且断电后信息会丢失D.ROM是一种非易失性存储器，断电后仍可保持记忆
下面关于DRAM存储器描述错误的是（）A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C、DRAM存储器属于非易失的存储器D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
问答题请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
单选题随机存储器RAM的特点是（）。ARAM中只能读出信息BRAM中既不可写入、也不可读出信息CRAM中既可写入信息，也可读出信息DRAM中只能写入信息