掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。 A、不确定B、0C、1D、可能为0，也可能为1

掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。 

  • A、不确定
  • B、0
  • C、1
  • D、可能为0，也可能为1

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vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
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CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化
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光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形
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器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻
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光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
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用KX206连接pioneer进行mos测试时，出现mos分值持续在1左右，下面的解决方法合理的是：（）。A、检查耳机线是否插紧，并重新插拔一下B、检查手机的音量是否为2-3格，不是的话必须在通话的过程中调整过来C、CH通道是否选对D、检查数据线是否存在问题E、检查mos盒是否存在问题
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在进行空间分析时，经常设置Mask（掩膜），设置掩膜的作用是什么？
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可以通过紫外线擦除其中内容，并可以多次改写的ROM是（）A、掩膜ROMB、EEPROMC、Flash MemoryD、EPROM
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静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。
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掩膜ROM只读存储器的内容是不可以改写的
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ROM又称掩膜只读存储器，它存储的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
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UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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80C51含（）掩膜ROM。
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89C51采用的内部程序存储器是（）。A、EPROMB、ROMLessC、FlashD、掩膜ROM
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按照数据写入方式特点的不同，ROM可分为掩膜ROM，（），（）。
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UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
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当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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能够用紫外光擦除ROM中程序的只读存储器称为（）。A、掩膜ROMB、PROMC、EPROMD、EEPROM
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AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是（）。A、EPROMB、FlashC、SFRD、掩膜ROM
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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单选题掩膜型ROM可简记为（）。APROMBMROMCEPROMDEEPROM
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判断题电子束光刻主要用于制作掩膜。A对B错
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判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
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判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A对B错
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单选题掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。A不确定B0C1D可能为0，也可能为1
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判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。A对B错
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判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A对B错
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