vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
绝缘栅场效应管又称为MOS管() 此题为判断题(对，错)。
一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
MOS种类分为？（）A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
N沟道MOS管，VGS越向正值方向增大，ID越（）
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
单选题在MOS逻辑电路中，由PMOS管组成的与非门电路叫做（）。A互补MOS与非门电路BCMOS与非门电路