什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
什么是继承？什么是父类？什么是子类？继承的特性给面向对象编程带来什么好处？什么是单重继承？什么是多重继承？
什么是存储容量？什么是单元地址？什么是数据字，什么是指令字？
什么是地物？什么是地貌？什么是地形？什么是地形图？
什么是MLSS？什么是MLVSS？什么是污泥沉降比SV？什么是污泥体积指数SVI？什么是污泥负荷？
什么是调制？什么是数字调制？什么是模拟调制？什么是振幅调制？什么是频率调制？什么是相位调制？
什么是安全？什么是危险？什么是故障？什么是事故？什么是灾害？什么是安全管理？
对沟道效应，沿着主晶轴方向入射时，角分布半宽度的典型值为多少。
什么是整流器？什么是逆变器？什么是有源逆变器？什么是无源逆变器？
填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。
问答题什么是安全？什么是危险？什么是故障？什么是事故？什么是灾害？什么是安全管理？
单选题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。A 电活性B 晶格损伤C 横向效应D 沟道效应
问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
问答题什么是CAD，什么是CAE，什么是CAPP，什么是CAM，什么是CAD/CAM集成？
问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。
问答题什么是继承？什么是父类？什么是子类？继承的特性给面向对象编程带来什么好处？什么是单重继承？什么是多重继承？
问答题什么是短沟道效应？有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应？
问答题什么是积差相关？什么是等级相关？什么是质量相关？什么是品质相关？什么是伪相（SpuriousCorrelation）？什么是偏相关？
问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
填空题（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。
名词解释题短沟道效应（Short Channel Effect）
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。