结型场效应管利用删源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流

结型场效应管利用删源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。

  • A、反偏电压
  • B、反向电流
  • C、正偏电压
  • D、正向电流

相关考题:

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零

场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流

结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

下列关于场效应管的说法中,错误的是: A、场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)B、场效应管工作于放大状态时,结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说,场效应管的输入电阻都比较高,结型高达107Ω,绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说,场效应管的放大能力大都比较弱

结型场效应管工作在线性区时,有放大作用。它是用栅源间的电压控制漏极电流的。由它构成的放大电路(),并有一定的电压放大倍数。A、输入电阻很大;B、输入电阻很小;C、输出电阻很大;D、输出电阻很小。

结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

场效应管的类型按沟道分为()型和()型;按结构分有()型和()型;按uGS=0时有无导电沟道分为()型和()型。

结型场效应管的漏极、源极可调换使用。

结型场效应管的基本工作原理是()A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积

耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。

结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小,从而实现UGS和ID的控制。

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

当uGS=0时,漏源间存在导电沟道的称为()型场效应管;漏源间不存在导电沟道的称为()型场效应管。

使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为(夹断)电压,N沟道JFET的UGS(off)()0,P沟道JFET的UGS(off)()0。

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

当栅源电压等于零时,增强型FET()导电沟道,结型FET的沟道电阻()。

根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。

结型场效应管用作放大时,其栅源极之间应加()电压。

场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。

场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻()。源极输出电路的重要特点是(),()和()。

结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。

下列场效应管中,无原始导电沟道的为()。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管

()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管;B、晶体三极管;C、场效应晶体管;D、双向晶闸管。

利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失,可以将MOS管作为开关器件使用。

单选题结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道电阻。A反偏电压B反向电流C正偏电压D正向电流

单选题()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A半导体二极管;B晶体三极管;C场效应晶体管;D双向晶闸管。