目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?
问答题解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？
问答题与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？
问答题以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？
填空题CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为（）
填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。A对B错
问答题简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。
问答题以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？
问答题在较先进的CMOS工艺中，为什么采用多层布线，请说明原因？
问答题CMOS工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的？阱有几种类型？每种类型可制作什么类型的场效应管？
填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。
问答题说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模？
问答题以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
问答题简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。