目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?
以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
开机后系统提示“CMOSBatteryStateLow”表示（）A、CMOS参数丢失B、CMOS供电不足C、CMOS设置错误D、无CMOS
开机后提示“CMOS Battery Stale Low“，这表明（）。A、CMOS设置错误B、主板上CMOS电池电量不足C、主板CMOS芯片损坏D、主板供电不足
问答题与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？
填空题半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。
问答题什么是BiCMOS？BiCMOS的特点是什么？
问答题BiCMOS工艺技术常分为哪两类？它们各有什么特点？
问答题以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？
问答题以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺有哪些优缺点？
问答题CMOS工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的？阱有几种类型？每种类型可制作什么类型的场效应管？
问答题BiCMOS有几种类型？每种类型有什么特点？
填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。
问答题说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模？
问答题以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
单选题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。AP阱，P沟BP阱、N沟CN阱、N沟DN阱、P沟