问答题说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模?

问答题
说明用硅材料采用CMOS工艺可形成哪些元件、电路形式以及可达到的电路规模?

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

目前微型计算机中采用的逻辑元件是( )A、小规模集成电路B、大规模和超大规模集成电路C、中规模集成电路D、分立元件E、电子管

●目前微型计算机中采用的逻辑元件是 (9) 。(9) A.小规模集成电路B.中规模集成电路C.大规模和超大规模集成电路D.分立元件

目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?

TTL电路和CMOS电路接口时,无论是用TTL电路驱动CMOS电路还是用CMOS电路驱动TTL电路,驱动门都必须为负载门提供合乎标准的高、低电平和足够的电流。() 此题为判断题(对,错)。

试说明如下各种门电路中哪些输出端可以直接并联使用?(1)具有推拉输出(图腾柱)的TTL电路。(2)TTL电路OC门。(3)TTL电路三态门。(4)具有互补输出(非门)结构的CMOS电路。(5) CMOS电路OD门。(6) CMOS电路三态门。

把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。

简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。

集成电路都采用什么材料来制作()A、硅材料B、硒材料C、土材料D、铜材料

在下列有关集成电路的叙述中,错误的是()。A、集成电路的规模是根据其所包含的电子元件数目进行划分的B、大规模集成电路一般以功能部件和子系统为集成对象C、现代集成电路使用的半导体材料主要是硅D、集成电路技术发展很快,至今已达到线宽0.001um的工艺水平

按制造工艺集成电路分为()。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路

对于硅元件和晶闸管保护电路,可采用RC.1A系列熔断器。

简述TTL电路与CMOS电路在性能上有哪些主要的区别?

目前微型计算机中采用的逻辑元件是()。A、小规模集成电路B、中规模集成电路C、大规模和超大规模集成电路D、分立元件

在下列有关集成电路和叙述中,错误的是()A、集成电路的规模是根据其所包含的电子元件数目进行划分的B、大规模集成电路一般以功能部件和子系统为集成对象C、现代集成电路使用的半导体材料主要是硅(Si)D、集成电路技术发展很快,至2005年初已达到0.001微米的工艺水平

试说明CMOS逻辑电路输入端不能悬空?

数字式面板表是采用()组成。A、CMOS大规模集成电路A/D转换器B、液晶显示屏C、CMOS大规模集成电路积分运算器D、发光二极管数字显示

在电路中,工作电压相同的元件都采用()。A、串联B、并联C、混联D、可串联,也可并联

与TTL集成电路相比,CMOS集成电路()。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确

可关断可控硅可用于数字电路,组成单稳态、双稳态、环形计数等电路。

如果CMOS电路电源电压与TTL不同,则用TTL电路驱动CMOS电路时,应该采用()A、电平移动器B、缓冲器C、放大器D、比较器

填空题闩锁效应(可控硅效应),是CMOS电路遇到的()问题。在CMOS电路正常工作时,由于()的突然被激发,器件电流突然(),甚至很快因Al(),使电路失效。

问答题简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。

单选题半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路B集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高C集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片D集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成

单选题在下列有关集成电路的叙述中,错误的是()。A集成电路的规模是根据其所包含的电子元件数目进行划分的B大规模集成电路一般以功能部件和子系统为集成对象C现代集成电路使用的半导体材料主要是硅D集成电路技术发展很快,至今已达到线宽0.001um的工艺水平

单选题目前微型计算机中采用的逻辑元件是()。A小规模集成电路B大规模和超大规模集成电路C中规模集成电路D分立元件E电子管

判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A对B错