电子工业用直径≥30cm单晶硅棒

电子工业用直径≥30cm单晶硅棒


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铠装电缆用镀锌低碳钢丝牢固性试验中,芯棒直径为钢丝直径的()倍。A、4B、5C、6D、7

直径为25mm和50mm的棒材,使用相同的电流磁化,其表面磁场()。A、两工件磁场相同B、直径为50mm的棒磁场较强C、直径为25mm的棒磁场较弱D、直径为25mm的棒磁场较强

直径为10cm和20cm的棒材通过相同的电流进行磁化,其表面磁场()A、两根棒的磁场相同B、直径为20cm的棒材磁场较强C、直径为10cm的棒材磁场较弱D、直径为10cm的棒材磁场较强

叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

棒状单晶硅(经掺杂、直径63mm)

经掺杂用于电子工业的硒晶体棒

电子工业用直径<7.5cm单晶硅棒

用作液相锈蚀用的试棒直径不得小于9.5mm。()

一般情况下,绕制弹簧用的心棒直径应小于弹簧的内径。

直径为25mm和50mm的园棒材,使用相同的轴向电流进行磁化,园棒表面的磁感应强度将是()A、两试件磁场相同;B、直径为50mm的棒磁场较强;C、直径为25mm的棒磁场较弱;D、直径为25mm的棒磁场较强

棒磨机直径(),筒体长度(),钢棒材质()。

用拉棒方式进行弯曲管道试通,拉棒长度为900mm,拉棒直径应为管孔内径的()。A、60%~65%B、70%~75%C、80%~85%D、90%~95%

单晶硅棒和PN结的制造技术等,与()以及()等半导体制造技术有较多共同部分,且历史悠久,实际业绩突出。

()是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使结晶生长,最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法

制作砂浆试块用钢制捣棒()端部磨圆A、直径16㎜长度350㎜B、直径12㎜长度350㎜C、直径10㎜长度350㎜D、直径10㎜长度300㎜

棒磨机常用钢棒直径范围为(),其筒体长度与直径的比值范围为()。

用插入式振捣棒振实制作试件时,宜用直径为25mm的插入式振捣棒,振捣棒距试板模底板的距离应为()。A、10~20mmB、5~10mmC、20~30mmD、15~20mm

直径〉15.24cm的单晶硅片

7.5cm≤直径≤15.24cm单晶硅片

已切割的单晶硅切片(经掺杂、直径63mm)

电子工业用7.5cm≤直径<30cm单

对钻孔直径正确的测量方法是用()测量。A、钻头插入B、标准量棒插入C、同直径钢球放入D、游标卡尺

检验已铰孔径的正确方法是()检验。A、用原铰刀插入B、用标准验棒C、用中心钻D、用和铰刀直径相同的钻头

单选题制作砂浆试块用钢制捣棒()端部磨圆A直径16㎜长度350㎜B直径12㎜长度350㎜C直径10㎜长度350㎜D直径10㎜长度300㎜

填空题提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过()、()、()等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

单选题用插入式振捣棒振实制作试件时,宜用直径为25mm的插入式振捣棒,振捣棒距试板模底板的距离应为()。A10~20mmB5~10mmC20~30mmD15~20mm

填空题集成电路用单晶硅的主要制备方法是()