填空题半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

填空题
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

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相关考题:

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。

由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。() 此题为判断题(对,错)。

当多数载流子是自由电子时,这种半导体称为N型半导体。

N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

氧化型气体吸附到N型半导体上,将使载流子数目(),从而使材料的电阻率().

二氧化钛(TiO2)氧传感器是利用半导体材料的二氧化钛的电阻值随氧含量的变化而改变的特性制成的。

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。

P型半导体的多子为()、N型半导体的多子为()、本征半导体的载流子为()。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

N型半导体也称为()半导体,其多数载流子是(),主要靠()导电;P型半导体也称为()半导体,其多数载流子是(),主要靠()导电。

半导体气体传感器,是利用半导体气敏元件同气体接触,造成()发生变化,借此检测特定气体的成分及其浓度。A、半导体电阻B、半导体上电流C、半导体上电压D、半导体性质

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

N型半导体的多数载流子是自由电子,因此N型半导体带负电。

当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。A、载流子数增加,电阻减小B、载流子数减少,电阻减小C、载流子数增加,电阻增大D、载流子数减少,电阻增大

N型半导体材料导电的载流子是空穴。

N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

填空题氧化型气体吸附到N型半导体上,将使载流子数目(),从而使材料的电阻率().

填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。A对B错