近场区长度在频率给定时,随晶片直径变小而()。A、缩短B、不变C、增加D、扩散

近场区长度在频率给定时,随晶片直径变小而()。

  • A、缩短
  • B、不变
  • C、增加
  • D、扩散

相关考题:

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。() 此题为判断题(对,错)。

探头的近场长度求解公式是()。(λ:波长;f:频率;D://晶片直径,A:晶片半径)。

波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随()A、频率增加,晶片直径减小而减小B、频率或晶片直径减小而增大C、频率或晶片直径减小而减小D、频率增加,晶片直径减小而增大

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而增大D、频率增加、晶片直径减小而增大

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大

()是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率的增加、晶片直径的减小而增大。

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的()。它随频率的增加、晶片直径的减小而()。

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而()。

探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大

近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。

说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

近场长度在频率给定时,随晶片直径的变小而变小。

波束扩散角是晶片尺寸和所通过的介质中声波波长的函数,并且()。A、频率或晶片直径减少时增大B、频率或晶片直径减少时减少C、频率增加而晶片直径减少时减少D、频率或晶片直径增大时增大

波束扩散角是晶体的尺寸和在所通过的介质中声波波长的函数,并且()。A、频率不变时晶片直径减小时增大B、频率不变时晶片直径减小时减小C、频率增加而晶片直径减小时增大D、频率增加而晶片直径减小时减小

邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A、扩散B、增大C、不变D、减小

问答题说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

单选题半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数,它()。A随频率增加、晶片尺寸减小而减小B随频率或晶片尺寸减小而增大C随频率或晶片尺寸减小而减小D频率增加、晶片尺寸减小而增大

判断题近场长度在频率给定时,随晶片直径的变小而变小。A对B错

单选题波束扩散角是晶片尺寸和传播介质中声波波长的函数并且随()A频率增加,晶片直径减小而减小B频率或晶片直径减小而增大C频率或晶片直径减小而减小D频率增加,晶片直径减小而增大

单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A 增大B 不变C 减小D 都有可能

单选题横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()AK值增大时,近场区长度不变BK值增大时,近场区长度增大CK值增大时,近场区长度减小DK值与近场区长度无关

单选题探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随()。A频率增加、晶片直径减小而减小B频率或直径减小而增大C频率或直径减小而增大D频率增加、晶片直径减小而增大

判断题近场区长度在频率给定时随晶片直径的变小而变小。A对B错

单选题邻近压电芯片的超声场为近场,其长度在频率给定时,随芯片直径增加而()。A扩散B增大C不变D减小

判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。A对B错