问答题为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？

问答题
为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？

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逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的() A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流
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晶闸管导通后,通电晶闸管的电流()。 A、决定于电路的负载B、决定于晶闸管的电流容量C、决定于电路电压D、其他因素
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变压器漏抗对整流电路的影响有()。A、输出电压平均值降低B、整流电路的工作状态增多C、晶闸管的di/dt减小D、换相时晶闸管电压出现缺口
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晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。
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简述产生di／dt过大的原因主要以及其限制措施。
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在二极管整流桥前添加一个电感器的这种校正方法可以实现下列哪些作用()。 A、限制输入电流的上升B、限制di/dt过大C、延长导通时间D、将功率因数提高到 0.9
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用晶闸管变流装置与直流电动机组成的直流调速系统中，多台变流器共用一台整流 变压器时，每台变流器分别通过进线电抗器供电。以下对进线电抗器所起作用的描述中正确 的是（ 〉。A.限制晶闸管导通时的di/dt；B.限制短路时的短路电流上升率；C.提高变流器输入电压；D.改善电源电压波形，消除变流器运转时对电源系统的公害。
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可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
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晶闸管换流器对晶闸管元件的基本要求是（）。A、耐压强度高B、载流能力强C、电流上升率与电压上升率的限制符合要求D、尺寸不能超标
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雷电流在波前部分上升速度di/dt为雷电流陡度。
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造成晶闸管误导通的主要原因有（）。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小
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逆变桥由晶闸管VT7～VT10组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的（）。A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流
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下列特点中，不属于采用强触发脉冲优点的是（）A、可以改变晶闸管的开通时间B、有利于改善串并联器件的动态均压和均流C、提高晶闸管的承受（di/dt）能力D、不可以改变晶闸管的开通时间
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为什么说不同斩波器工作中的区别不在于晶闸管的导通电路，而在于它的关断电路？
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晶闸管为什么要动态均流？
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为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？
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为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt？
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试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
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晶闸管的（）受温度的影响很大。A、导通电流B、触发电流C、触发电压D、导通电压
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通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。     A、误导通B、短路C、失控D、不能导通
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问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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问答题晶闸管为什么要动态均流？
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问答题为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt？
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填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。
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问答题晶闸管变流装置中为什么在主电路上要加入整流变压器进行降压？
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多选题在二极管整流桥前添加一个电感器的这种校正方法可以实现下列哪些作用？（）A限制输入电流的上升B限制di/dt过大C延长导通时间D将功率因数提高到0.9
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