下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单。A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场控晶体管
步进电动机功率驱动电路有（）等类型。A、单电压功率驱动B、双电压功率驱动C、斩波恒流功率驱动D、高低压功率驱动E、三电压功率驱动
功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？
桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
单结晶体管产生的触发脉冲是（）脉冲；主要用于驱动（）功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为（）脉冲；可以触发（）功率的晶闸管。
在晶体管驱动电路中，开关晶体管的驱动电流IC必须足够大，否则晶体管会增加其管压降来限制其负载电流，从而有可能使晶体管超过允许功耗而损坏。
恒流驱动电路中，电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
恒流驱动电路中接上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间
对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A、导通B、寿命C、关断D、饱和
功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。A、变流驱动B、变压驱动C、比例驱动D、补偿驱动
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、抑制电路B、抗饱和电路C、吸收电路
交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有（）A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈B、采用正反馈和负反馈C、提高晶体管的饱和深度和放大系数D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈
为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路
恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。A、加快功率晶体管开通B、延缓功率晶体管关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件
功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和（）驱动电种型。A、微分B、积分C、比例D、PID
恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是（）。A、加速功率管关断B、加速功率晶体管开通C、过电流保护D、减小延迟时间
问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
单选题功率晶体管的驱动电路一般有两种类型，即恒流驱动和（）。A变流驱动B变压驱动C比例驱动D补偿驱动
问答题功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用什么方式，以便与功率晶体管的开关时间相配合？
填空题单结晶体管产生的触发脉冲是（）脉冲；主要用于驱动（）功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为（）脉冲；可以触发（）功率的晶闸管。
单选题对于功率晶体管的基极驱动电路，驱动电流的后沿应是一个较大的负电流，以利于功率晶体管的（）。A导通B寿命C关断D饱和
单选题桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。A加快功率晶体管的开通B延缓功率晶体管的关断C加深功率晶体管的饱和深度D保护器件
单选题为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。A抑制电路B抗饱和电路C吸收电路
单选题为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。Adu/dt抑制电路B抗饱和电路Cdi/dt抑制电路D吸收电路