填空题晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。

填空题
晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现（），若di/dt过大，会导致晶闸管（）。

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逆变桥由4个晶闸管组成。每个晶闸管均串有空心电感以限制晶闸管导通时的() A、电流变化B、电流上升率C、电流上升D、电流
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如果通过晶闸管的通态电流上升率过大,而其他一切满足规定条件时,则晶闸管将()。 A、误导通B、有可能因局部过热而损坏C、失控D、关闭
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晶闸管的几个主要参数是()。A.额定通态平均电流B.维持电流C.断态重复峰值电压D.反向重复峰值电压
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晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du／dt和通态电流临界上升率等,若du／dt过大,就会使晶闸管出现______,若di／dt过大,会导致晶闸管______。
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可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
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由通态到断态，能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。
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造成晶闸管误导通的主要原因有（）。 A、通过晶闸管的通态电流上升率过大B、通过晶闸管的通态电流上升率过小C、干扰信号加于控制板D、加到晶闸管阳极上的电压上升率过大E、加到晶闸管阳极上的电压上升率过小
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造成晶闸管误导通的原因有两个：一是干扰信号加于门极，二是加到晶闸管上的电压上升率过大。
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双向晶闸管承受（）的能力较低。A、电压上升率B、电压下降率C、电流上升率D、电流下降率
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晶闸管在正向阳极电压作用下，当（）加入适当的信号时，可使晶闸管由断态变为通态。
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晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV）  E、维持电流IH
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过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。
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晶闸管元件由断态到通态，脉冲切除后，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
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为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？
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为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt？
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试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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晶闸管元件由通态到断态，能够维持元件导通的最小阳极电流叫做（）。
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若加到晶闸管两端电压的上升率过大，就可能造成晶闸管误导通。
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通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。     A、误导通B、短路C、失控D、不能导通
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采用电压上升率du/dt限制办法后，电压上升率与桥臂交流电压（）成正比的作用。A、有效值B、平均值C、峰值D、瞬时值
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造成在不加门极触发控制信号，即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是（）。A、门极电压过高B、阳极电压过高C、阴极电压过高D、阳极电压过低
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晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）。A、电路的负载B、晶闸管的通态平均电流C、触发电压D、晶闸管阳阴极间电压
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问答题试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。
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问答题为什么要限制晶闸管断电电压上升律du/dt？
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判断题过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。A对B错
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问答题为什么要限制晶闸管导通电流上升率di/dt？
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填空题晶闸管在正向阳极电压作用下，当（）加入适当的信号时，可使晶闸管由断态变为通态。
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