硅整流二极管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
晶闸管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
晶闸管反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()。 A、50VB、80VC、100VD、120V
晶闸管正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()。 A、100VB、120VC、150VD、180V
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。
可控硅的正向阻断是（）。A、可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压B、可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压C、可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压D、可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压
可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ。A、50B、80C、100D、120
晶闸管反向重复峰值电压（有称反向阻断峰值电压）规定比反向击穿电压小（）V。A、50B、80C、100D、120
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV） E、维持电流IH
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
通常选取晶闸管的正向阻断电压和反向峰值电压分别为电路中晶闸管实际承受的最大正向电压和最大反向电压的（）倍。A、1～1.5B、1.5～2C、2～2.5D、2.5～3
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
一般地，晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
通常所说多少伏的可控硅，是指它的（）是多少伏。A、正向阻断峰值电压B、正向转折电压C、整流电压D、整流电流
判断题可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。A对B错
填空题晶闸管正向阻断峰值电压的数值，规定比正向转折电压小（）。