填空题P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。
填空题
P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A空穴是多数载流子B在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A自由电了是多数载流子B在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
填空题在硅晶体中掺入少量磷，则形成（）半导体，其少数载流子为（）。