填空题在硅晶体中掺入少量磷,则形成()半导体,其少数载流子为()。

填空题
在硅晶体中掺入少量磷,则形成()半导体,其少数载流子为()。

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相关考题:

在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。() 此题为判断题(对,错)。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷

本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

在纯净的半导体硅中掺入硼元素,则构成了电子型半导体

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子

在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

P型半导体中多数载流子为(),少数载流子为()。

本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。

本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。

在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

在P型半导体中,()是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗

半导体中的多数载流子是由()形成的,少数载流子是由()产生的。

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系

本征硅中掺入5价元素的原子,则多数载流子是(),掺杂越多,则其数量越();相反少数载流子是(),掺杂越多,则其数量越()。

本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是(),掺杂越多,则其数量一定越(),相反,少数载流子应是(),掺杂越多,则其数量一定越()。

本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是(),少数载流子应是()。

N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

在硅半导体中掺入少量的磷杂质,这种半导体一般称为()型半导体。A、PB、NC、PND、PNP

自然界物质按导电能力分为()三种。纯净的半导体又称为()半导体,用的最多的半导体是硅和锗,它们都具有晶体结构,在纯净半导体中掺入三阶元素后形成空穴P型半导体,掺入五价元素后形成电子N型半导体,半导体受()的影响最大。

在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。

填空题P型半导体是在硅晶体中渗入()形成的,其多数载流子是()。

填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的()而形成的,其多数载流子是()。

填空题本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

问答题半导体材料的载流子是什么?若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素,形成何种类型半导体?五价?