判断题侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。A对B错

判断题
侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。
A

B


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相关考题:

晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种,其中酸性蚀刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸当缓冲剂,一般去除约10-20μm厚的表面层。

单选题湿法蚀刻的主要方式中产生侧蚀程度最小的是()。A浸泡B鼓泡C泼溅D喷淋

单选题侧蚀的程度是以侧向蚀刻的宽度来表示的,符号为()。AxByCzDt

判断题能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。A对B错

单选题鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于()。A鼓泡式蚀刻液的酸性更强B鼓泡式蚀刻通入空气C鼓泡式蚀刻液的酸性更强D鼓泡式蚀刻通入氧气

单选题用来衡量侧蚀量的大小程度的选项为()。A蚀刻系数B蚀刻速率C溶铜量D镀层增宽

多选题广义而言,所谓的蚀刻技术可以分为()。A干蚀刻B湿蚀刻C中性蚀刻D无侧蚀蚀刻

判断题酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。A对B错

单选题硅片制备主要工艺流程是()A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

判断题在蚀刻过程中,添加某些添加剂可以降低侧蚀程度。A对B错

判断题所有金属抗蚀层都可适用碱性蚀刻液,大部分金属不可用酸性蚀刻液,金除外。A对B错

单选题通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液()。A浸泡式蚀刻B鼓泡式蚀刻C泼溅式蚀刻D喷淋式蚀刻

判断题酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定,容易控制。A对B错

多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻过度的原因可能有()。A传送速度太慢BpH值过高C蚀刻液比重偏低D蚀刻液温度不足

判断题浸泡式蚀刻通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液。A对B错

问答题在印制电路板的蚀刻过程中为何要减少侧蚀。如何减少侧蚀。

问答题简述化学蚀刻的工艺过程

多选题蚀刻液的种类有()。A酸性蚀刻液B碱性蚀刻液C中性蚀刻液D不知道

判断题湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的,腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。A对B错

多选题下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有()。A蚀刻速率快B蚀刻速率比较容易控制C溶铜量大D再生容易

判断题碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。A对B错

多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻不足的原因可能有()。A传送速度太快BpH值太低C蚀刻液温度不足D喷淋压力不足

单选题碱性氯化铜的蚀刻液密度太低,会加大侧蚀量,这是因为()。A蚀刻液的密度太低,造成温度过低,反应速度过慢B蚀刻液的密度太低,溶液中的二价铜离子含量偏低C蚀刻液的密度太低,即溶液的pH值太低D蚀刻液的密度太低,溶液中的氯化铵含量太少

单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包

填空题侧蚀严重时会造成电路()。当铜箔厚度相同时,可用侧蚀宽度来比较侧蚀的大小,衡量蚀刻质量的优劣,侧蚀宽度(),蚀刻质量越差。

单选题不适宜在碱性氯化铜蚀刻液中蚀刻的抗蚀层是()。A金B锡铅合金C油墨D镍

判断题在湿法蚀刻中,侧蚀是不可避免的,所以镀层突沿总是存在的。A对B错