多丝正比电离室探测器是()A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器

多丝正比电离室探测器是()

  • A、直接探测器
  • B、间接探测器
  • C、模拟探测器
  • D、平板探测器
  • E、动态探测器

相关考题:

对某医院的X线检查仪进行防护检测检测防护区时最好使用何种类型的探测器A、计数管型B、正比计数管型C、电离室型D、指型电离室型E、热释光型检测X线线束输出量时最好用何种探测器A、计数管型B、正比计数管型C、电离室型D、指型电离室型E、闪烁体型

多丝正比电离室探测器是A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器

DR的种类中不包括A、直接型B、间接型C、多丝正比电离室型D、CCD型E、光激励发光型

多丝正比电离室探测器数字X线成像技术的主要优点,错误的是() A、采集效率高B、数字化量化深度高C、时间分辨率高D、被检者X线辐射剂量低E、背景噪声低

常规自动曝光摄影用的探测器为A.硒晶硅B.电离室式C.光电计式D.多丝正比室E.闪烁晶体

属于DR成像间接转换方式的部件是A.增感屏B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室

属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室

多丝正比电离室探测器是A.间接探测器B.直接探测器C.动态探测器D.平板探测器E.模拟探测器

DR的种类中不包括A.直接型B.间接型C.多丝正比电离室型D.CCD型E.光激励发光型

近距离照射放射源强度校准最好使用()A、指型电离室B、半导体探测器C、井行电离室D、闪烁计数器E、正比计数器

常用场所辐射监测仪中灵敏度最高的是()A、电离室B、正比计数器C、GM计数器D、闪烁探测器E、半导体探测器

需通过光敏元件成像的探测器是()A、空气电离室B、CCD探测器C、多丝正比电离室D、半导体狭缝扫描仪E、直接转换平板探测器

灵敏度最低的是()A、电离室B、正比计数器C、闪烁探测器D、半导体探测器E、GM计数器

多丝正比电离室与数据采集系统组成的直接数字化的探测系统无需()转换,采集效率高,其背景噪声为(),动态范围理论上高达()。

属于DR成像间接转换方式的部件是()A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室

密封放射检测源是否泄漏或被污染,通常使用的探测器是()A、指型电离室B、半导体探测器C、中子探测器D、闪烁计数器E、正比计数器

密封放射源检测是否泄露或被污,通常使用的探测器是()A、指形电离室B、半导体探测器C、中子探测器D、闪烁计数器E、正比计数器

以下哪一种探测器,不是利用射线在空气中电离效应原理()A、电离室B、正比计数器C、盖革-弥勒记数管D、闪烁探测器

气体电离探测器包括()三种。A、计数管、晶体管、电子管B、电离室、正比计数管、数码管C、计数管、电离室、数码管D、电离室、正比计数管、G-M计数管

应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是()A、硒鼓探测器,B、IP成像转换器,C、直接转换平板探测器,D、间接转换平板探测器,E、多丝正比室检测器

单选题DR的种类中不包括(  )。ACCD型B直接型C多丝正比电离室型D间接型E光激励发光型

单选题密封放射源检测是否泄露或被污,通常使用的探测器是()A指形电离室B半导体探测器C中子探测器D闪烁计数器E正比计数器

单选题需通过光敏元件成像的探测器是()A空气电离室BCCD探测器C多丝正比电离室D半导体狭缝扫描仪E直接转换平板探测器

单选题多丝正比电离室探测器是()A直接探测器B间接探测器C模拟探测器D平板探测器E动态探测器

单选题属于DR成像直接转换方式的部件是()A闪烁体+CCD摄像机阵列B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室

单选题DR的种类中不包括()A直接型B间接型C多丝正比电离室型DCCD型E光激励发光型

单选题目前最常用的DR系统为(  )。ACsI+CCD阵列B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D多丝正比电离室E计算机X线摄影

单选题属于DR成像间接转换方式的部件是()A增感屏B非晶硒平板探测器C多丝正比电离室D碘化色+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵探测器