应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。A.CCD检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
目前最常用的DR系统为A.CsI+CCD阵列B.非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.多丝正比电离室E.计算机X线摄影
数字X线摄影(DR)不包括A.直接转换平板探测器B.间接转换平板探测器C.多丝正比室探测器D.闪烁体+CCD摄像机阵列E.线扫描计算机X线摄影
多丝正比电离室探测器是A.间接探测器B.直接探测器C.动态探测器D.平板探测器E.模拟探测器
属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室
属于DR成像间接转换方式的部件是A.增感屏B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室
应用CCD面阵结构的成像设备是（）A、扫描仪B、数码照相机C、CR数字X线摄影D、半导体狭缝扫描仪E、直接转换平板探测器
属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
DR成像设备类型包括（）。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR
应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
多丝正比电离室探测器是（）A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、CCD检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A硒鼓检测器BCR成像板（IP）C直接转换平板探测器D间接转换平板探测器E多丝正比室检测器
单选题多丝正比电离室探测器是（）A直接探测器B间接探测器C模拟探测器D平板探测器E动态探测器
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A增感屏B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室
单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A闪烁体+CCD摄像机阵列B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室
单选题应用CCD面阵结构的成像设备是（）A扫描仪B数码照相机CCR数字X线摄影D半导体狭缝扫描仪E直接转换平板探测器
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A硒鼓检测器BIP成像转换器C直接转换平板探测器D间接转换平板探测器E多丝正比室检测器
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A间接转换平板探测器B硒鼓检测器C直接转换平板探测器DIP成像转换器E多丝正比室检测器
单选题需通过光敏元件成像的探测器是（）A空气电离室BCCD探测器C多丝正比电离室D半导体狭缝扫描仪E直接转换平板探测器
单选题数字X线摄影（DR）不包括（ ）。A直接转换平板探测器B间接转换平板探测器C多丝正比室探测器D闪烁体＋CCD摄像机阵列E线扫描计算机X线摄影