应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是()。A.CCD检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同
常规自动曝光摄影用的探测器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体利用电容充放电原理工作的限时器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体常规自动曝光摄影用的探测器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体利用电容充放电原理工作的限时器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！
关于DR探测器的类型，错误的是A．非晶硒平板型探测器B．非晶硅平板型探测器C．碘化铯平板型探测器D．多丝正比室扫描DRE．CCD摄像机型DR
目前最常用的DR系统为A.CsI+CCD阵列B.非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.多丝正比电离室E.计算机X线摄影
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器
常规自动曝光摄影用的探测器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体
利用电容充放电原理工作的限时器是A.机械式B.电子式C.数字式D.电离室式E.闪烁晶体
非晶硅平板A．直接转换B．间接转换C．光电转换D．电光转换E．闪烁晶体
属于DR成像间接转换方式的部件是A．增感屏B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测器D．半导体狭缝线阵探测器E．多丝正比电离室
自动曝光控制系统，探测器的种类有A．金属探测器、液体探测器B．液体探测器C．荧光体探测器、电离室探测器D．液体探测器、晶体探测器E．晶体探测器、金属探测器
属于DR成像直接转换方式的部件是A．闪烁体+CCD摄像机阵列B．非晶硒平板探测器C．碘化铯+非晶硅探测器D．半导体狭缝线阵探测器E．多丝正比电离室
数字X线摄影(DR)不包括A.直接转换平板探测器B.间接转换平板探测器C.多丝正比室探测器D.闪烁体+CCD摄像机阵列E.线扫描计算机X线摄影
多丝正比电离室探测器是A.间接探测器B.直接探测器C.动态探测器D.平板探测器E.模拟探测器
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.IP成像转换器B.直接转换平板探测器C.间接转换平板探测器D.硒鼓检测器E.多丝正比室检测器
利用碘化铯闪烁体和非晶硅作为探测元的检测器是A.硒鼓检测器B.间接转化平板探测器C.直接转化平板探测器D.IP成像转化器E.多丝正比室检测器
属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
DR成像设备类型包括（）。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR
常规自动曝光摄影用的探测器是（）A、机械式B、电子式C、数字式D、电离室式E、闪烁晶体
单选题常规自动曝光摄影用的探测器是（）A机械式B电子式C数字式D电离室式E闪烁晶体
多选题DR成像设备类型包括（）。A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR
单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A闪烁体+CCD摄像机阵列B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室
单选题目前最常用的DR系统为（ ）。ACsI＋CCD阵列B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D多丝正比电离室E计算机X线摄影
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A增感屏B非晶硒平板探测器C多丝正比电离室D碘化色+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵探测器
配伍题利用电容充放电原理工作的限时器是（）|常规自动曝光摄影用的探测器是（）A机械式B电子式C数字式D电离室式E闪烁晶体