目前最常用的DR系统为A.CsI+CCD阵列B.非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.多丝正比电离室E.计算机X线摄影
属于DR成像直接转换方式的是A．非晶硒平板探测器B．碘化铯+非晶硅平板探测器C．利用影像板进行X线摄影D．固定IP+CCD摄像机阵列E．硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.IP成像转换器B.直接转换平板探测器C.间接转换平板探测器D.硒鼓检测器E.多丝正比室检测器
属于DR成像直接转换方式的部件是A.闪烁体+CCD摄像机阵列B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室
属于DR成像间接转换方式的部件是A.增感屏B.非晶硒平板探测器C.碘化铯+非晶硅探测器D.半导体狭缝线阵探测器E.多丝正比电离室
关于DR探测器的类型，错误的是A.非晶硒平板型探测器B.非晶硅平板型探测器C.碘化铯平板型探测器D.多丝正比室扫描DRE.CCD摄像机型DR
利用碘化铯闪烁体和非晶硅作为探测元的检测器是A硒鼓检测器BIP成像转化器C直接转化平板探测器D间接转化平板探测器E多丝正比室检测器
属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、多丝正比电离室D、碘化色+非晶硅探测器E、半导体狭缝线阵探测器
属于DR成像直接转换方式的部件是（）A、闪烁体+CCD摄像机阵列B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
DR成像设备类型包括（）。A、非晶硒平板型探测器B、非晶硅平板探测器型C、IP成像方式D、多丝正比室扫描投影DRE、CCD摄像机型DR
应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器
应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A硒鼓检测器BCR成像板（IP）C直接转换平板探测器D间接转换平板探测器E多丝正比室检测器
多选题DR使用过的平板探测器材质是（）A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A增感屏B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室
单选题属于DR成像直接转换方式的部件是（）A闪烁体+CCD摄像机阵列B非晶硒平板探测器C碘化铯+非晶硅探测器D半导体狭缝线阵探测器E多丝正比电离室
单选题悬吊DR无线平板探测器材质是（）A非晶硒B碘化铯非晶硅C氧化钆非晶硅DCCD
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）A硒鼓检测器BIP成像转换器C直接转换平板探测器D间接转换平板探测器E多丝正比室检测器
单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A增感屏B非晶硒平板探测器C多丝正比电离室D碘化色+非晶硅探测器E半导体狭缝线阵探测器
多选题DR成像设备类型包括（）A非晶硒平板型探测器B非晶硅平板探测器型CIP成像方式D多丝正比室扫描投影DRECCD摄像机型DR
单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（ ）。A间接转换平板探测器B硒鼓检测器C直接转换平板探测器DIP成像转换器E多丝正比室检测器
单选题间接转换技术的DR，应用的转换介质是（）A影像板B增感屏C碘化铯D非晶硒E非晶硅
单选题直接转换DR中应用的转换介质是（ ）。A非晶硅B非晶硒C碘化铯D成像板E增感屏
单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A非晶硒平扳探测器B碘化铯+非晶硅平扳探测器C利用影像板进行X线摄影D闪烁体+CCD摄像机阵列E硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是（ ）。A闪烁体B非晶硒平板探测器CCCD摄像机阵列D碘化铯＋非晶硅探测器E半导体狭缝线阵列探测器
单选题目前最常用的DR系统为（ ）。ACsI＋CCD阵列B非晶硅平板探测器C非晶硒平板探测器D多丝正比电离室E计算机X线摄影