硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对，错)。
硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对，错)。
锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
硅二极管的型号为ZP100—8F，指的是其额定电流为100A，额定电压800V，正向平均电压（），（）的硅整流二极管。
一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（）。A、不得超过40伏B、略小于150伏C、等于75伏D、大于150伏
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
判断题硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。A对B错
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。