CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。

CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。


相关考题:

MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。() 此题为判断题(对,错)。

CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。() 此题为判断题(对,错)。

把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管

用三极管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

COMS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。     A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管

CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。

在MOS逻辑电路中,由PMOS管组成的与非门电路叫做()。A、互补MOS与非门电路B、CMOS与非门电路

由()组成的集成电路简称CMOS电路。A、金属B、氧化物C、半导体场效应管D、磁性物

下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。

CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。

基本的R-S触发器是由两个()。A、集成与门电路组合而成B、集成与或门电路组合而成C、集成与非门电路组合而成D、集成与或非门电路组合而成

TTL集成门电路是指()。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路

下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

用场效应管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管

TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、场效应管;B、晶闸管;C、晶体管;D、电阻、电容、电感。

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、二极管B、三极管C、晶闸管D、场效应管

COMS门电路的内部电路是由场效应管构成。

TTL集成逻辑门电路的内部大多是由()级、()级和()级

CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL门电路高。

单选题用场效应管构成的门电路称为()门电路。AMOC型BTTL型CCMOS型

单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是(  )。A双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路BTTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路CCMOS集成门电路集成度高,但功耗较高DTTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用

判断题CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。A对B错