烤瓷冠在烤瓷炉内烧结每分钟的升温速率是（）。A、35～45℃B、45～49℃C、50～55℃D、55～60℃E、60～70℃
烤瓷冠在烤瓷炉内烧结每分钟的升温速率是（）。
- A、35～45℃
- B、45～49℃
- C、50～55℃
- D、55～60℃
- E、60～70℃
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PFM冠牙本质瓷、切端瓷层产生气泡的原因哪一项不正确A、不透明层有气泡B、升温速度过快，抽真空速率过慢C、瓷粉堆塑时混入气泡D、烤瓷炉密封圈处有异物影响真空度E、瓷层烧结温度过高，升温速度过慢
下列选项不是PFM烧烤后在牙本质、切端层中出现气泡的可能原因( )。A、瓷粉堆塑时混入气泡B、烧烤时升温速度过快，抽真空速率过慢C、烤瓷炉密封圈处有异物，影响真空度D、基底冠表面多方向打磨E、瓷粉中混人杂质
下列选项不是PFM烧烤后在牙本质、切端层中出现气泡的可能原因的是A、瓷粉堆塑时混入气泡B、烧烤时升温速度过快，抽真空速率过慢C、烤瓷炉密封圈处有异物，影响真空度D、基底冠表面多方向打磨E、瓷粉中混入杂质
金-瓷界面残余应力造成修复体破坏的主要因素是A．烤瓷合金与瓷粉在烤炉内冷却到室温时，永久保留在材料内部和界面的应力B．烤瓷合金与瓷粉之间的热膨胀系数的匹配C．烤瓷冠烧结次数D．烤瓷冠在烤瓷炉内的升温速率E．金属内冠铸造时熔金时间的长、短
金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
某技师将瓷层已堆筑完成的PFM冠送入烤瓷炉中进行烧结，程序完成后发现冠表面所有体瓷全部爆裂，其原因可能是（）。A、干燥、预热时间太长，瓷粉失水B、未干燥、预热直接升温C、烤瓷炉真空度过高D、烧结温度过高E、升温速率过低
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
单选题某技师将瓷层已堆筑完成的PFM冠送入烤瓷炉中进行烧结，程序完成后发现冠表面所有体瓷全部爆裂，其原因可能是（）。A干燥、预热时间太长，瓷粉失水B未干燥、预热直接升温C烤瓷炉真空度过高D烧结温度过高E升温速率过低
单选题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（）。A预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
单选题真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（ ）。A预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
单选题金属基底冠除气的方法是（）。A低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min