单选题真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（ ）。A预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
单选题
真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（ ）。
A
预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间
B
预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
C
现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
D
现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
E
现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
参考解析
解析：
单片机控制的烤瓷炉均设有显示窗、键盘及功能接口，显示窗包括程序显示、温度显示、时间显示、真空显示和故障显示。主要显示现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间及程序内各顺序的经过时间。
单片机控制的烤瓷炉均设有显示窗、键盘及功能接口，显示窗包括程序显示、温度显示、时间显示、真空显示和故障显示。主要显示现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间及程序内各顺序的经过时间。
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金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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