单选题金属基底冠除气的方法是（）。A低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
单选题
金属基底冠除气的方法是（）。
A
低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
B
低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
C
高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min
D
高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
E
高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
参考解析
解析：
暂无解析
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金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
金属烤瓷材料与金属的匹配形式中错误的是 A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B、为获得烤瓷与金属的良好结合，可在烤瓷中加入氧化锡C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素中占主要地位
金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B、为获得烤瓷与金属的良好结合，可在烤瓷中加入氧化锡C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素畔占主要地位
金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
金属基底冠除气的方法是（）。A、低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB、低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC、高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD、高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE、高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
单选题金属烤瓷材料与金属的匹配形式中错误的是（）A烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B为获得烤瓷与金属的良好结合，可在烤瓷中加入氧化锡C烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E热胀系数在金瓷匹配的影响因素中占主要地位
单选题金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是（）A烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数B为获得烤瓷与金属的良好结合，可在烤瓷中加入氧化锡C烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点D烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥E热胀系数在金瓷匹配的影响因素畔占主要地位
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6～8℃C低于体瓷烧结温度10～20°CD高于体瓷烧结温度6～8℃E高于体瓷烧结温度10～20℃