晶片较小的探头近场覆盖面积()。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对

晶片较小的探头近场覆盖面积()。

  • A、较小
  • B、较大
  • C、与之无关
  • D、以上说法均不对

相关考题:

超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片

探头的近场长度求解公式是()。(λ:波长;f:频率;D://晶片直径,A:晶片半径)。

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。

横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。

超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比,与波长成反比。

晶片较小的探头远场覆盖面积()。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对

探头晶片尺寸大时,近场的覆盖范围也大,晶片小时,近场的覆盖范围也小。但在远场处由于指向性的关系,大尺寸晶片的覆盖范围有可能小于尺寸晶片。

探头的近场长度由式N=a2/λ决定。(式中λ波长,a晶片半径)。

晶片较大的探头近场覆盖面积()。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对

晶片较大的探头远场覆盖面积()。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对

探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片

芯片较大的探头近场覆盖面积()远场覆盖面积()。

晶片尺寸较小的探头发射的超声波束,其远场覆盖面积()。

探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。

超声波探伤,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。

较小的探头晶片尺寸发射的超声波束,其远场覆盖面积()。A、较大B、较小C、不变D、较窄

判断题同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A对B错

判断题超声波探伤,为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。A对B错

单选题较小的探头晶片尺寸发射的超声波束,其远场覆盖面积()。A较大B较小C不变D较窄

填空题芯片较大的探头近场覆盖面积()远场覆盖面积()。

填空题晶片尺寸较小的探头发射的超声波束,其远场覆盖面积()。

填空题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

单选题超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头.A低频率B较小晶片C低频率和较小晶片D较大晶片

判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。A对B错