探头晶片尺寸大时,近场的覆盖范围也大,晶片小时,近场的覆盖范围也小。但在远场处由于指向性的关系,大尺寸晶片的覆盖范围有可能小于尺寸晶片。

探头晶片尺寸大时,近场的覆盖范围也大,晶片小时,近场的覆盖范围也小。但在远场处由于指向性的关系,大尺寸晶片的覆盖范围有可能小于尺寸晶片。


相关考题:

超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片

探头的近场长度求解公式是()。(λ:波长;f:频率;D://晶片直径,A:晶片半径)。

探头的晶片尺寸增加对探头的()有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。

横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

以下哪一条不属于双晶探头的主要参数?()A、近场长度B、频率C、晶片尺寸D、声束交区范围

探头的近场长度由式N=a2/λ决定。(式中λ波长,a晶片半径)。

波长越短,近场长度越短,晶片直径越大,近场长度也越长。

晶片较小的探头近场覆盖面积()。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对

探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。

超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片

说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

探头晶片尺寸大,辐射的超声波能量大,探头未扩散区扫查范围大,远距离扫查范围相对变小,发现远距离缺陷能力增强。

探头晶片尺寸增加,近场区长度增加,对探伤不利。

问答题说明指向角和近场区长度的关系,在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸?

判断题同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A对B错

单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A 增大B 不变C 减小D 都有可能

单选题横波探头晶片尺寸一定时,K值与近场区长度的关系为()AK值增大时,近场区长度不变BK值增大时,近场区长度增大CK值增大时,近场区长度减小DK值与近场区长度无关

判断题横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。A对B错

单选题以下哪一条不属于双晶探头的主要参数?()A近场长度B频率C晶片尺寸D声束交区范围

填空题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。

单选题超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头.A低频率B较小晶片C低频率和较小晶片D较大晶片

单选题探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面探伤不利。A增加B减小C不变

判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。A对B错