超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片
光能的大小与光的频率、波长的关系是A、与频率成反比B、与频率成正比C、与频率无关D、与波长的长度成正比E、与波长的长度无关
探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D://晶片直径，A：晶片半径）。
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
超声场的近场区长度与波源面积及波长的关系（）。A、 近场区长度与波源面积及波长成正比B、 近场区长度与波源面积及波长成反比C、 近场区长度与波源面积成正比，与波长成反比D、 近场区长度与频率成正比，与波源面积成反比
聚焦探头的焦点尺寸与晶片直径、波长和焦距有关，晶片直径（），波长（），焦距（），则焦点小。
超声波探头的半扩散角近似与晶片直径成正比，与波长成反比。
探头的近场长度由式N=a2/λ决定。（式中λ波长，a晶片半径）。
波长越短，近场长度越短，晶片直径越大，近场长度也越长。
超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片
探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。A、N=1.22λ/DB、N=D/4λC、N=D2/4λD、N=2/D
超声波在介质中传播时，其波长与（）成正比，与（）成反比。
超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。
在超声波探伤中，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径（）的探头。
超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
在同一材料中，如果提高某波形的超声波频率，则一定直径晶片的近场长度将（）A、减少B、保持不变C、增大D、随波长均匀变化
单选题超声场的近场区长度与波源面积及波长的关系（）。A 近场区长度与波源面积及波长成正比B 近场区长度与波源面积及波长成反比C 近场区长度与波源面积成正比，与波长成反比D 近场区长度与频率成正比，与波源面积成反比
单选题在同一材料中，如果提高某波形的超声波频率，则一定直径晶片的近场长度将（）A减少B保持不变C增大D随波长均匀变化
单选题探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。AN=1.22λ/DBN=D/4λCN=D2/4λDN=2/D
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）AK值增大时，近场区长度不变BK值增大时，近场区长度增大CK值增大时，近场区长度减小DK值与近场区长度无关
填空题聚焦探头的焦点尺寸与晶片直径、波长和焦距有关，晶片直径（），波长（），焦距（），则焦点小。
判断题超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。A对B错
单选题超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A低频率B较小晶片C低频率和较小晶片D较大晶片
填空题在超声波探伤中，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径（）的探头。
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A对B错