模电xdu2011微电子概论复试题
自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
此题为判断题(对,错)。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
- A、自由电子,空穴;扩散,飘移
- B、空穴,自由电子;漂移,扩散
- C、空穴,自由电子;扩散,漂移
- D、自由电子,空穴;漂移,扩散
- E、自由电子,空穴;扩散,扩散
正确答案:C
当多数载流子是自由电子时,这种半导体称为N型半导体。
正确答案:正确
电子科技大学 2011 年微电子复试微电子概论部分(时间 2011-4-6 10:3012:00满分 100答题纸上作答,写在试卷上无效)一、 填空题(每空 0.5 分,共 20 分)半导体中的载流子有和两种。半导体中引起的称为漂移电流,有引起的称为势垒电流。半导体中的电容有和。当 PN 结正偏时,大于;当 PN 结反偏时,小于。光刻的流程包括、。 5.集成电路的中的电容分为、,电阻分为、。减少MOS 的特征频率fT 的方式有、。RAM 分为、,ROM 分为、。集成电路的连接工艺有、。MOS 的三种状态分别是、。(每题 3 分,共 30 分)二、VDSat1.ASIC2.FPGA3.CAD4.ROM5.8. TTL6. MOS 的特征频率fT7.PN 结的击穿电压9. “掺杂” 10.版图设计规则三、问答题(每题 10 分,共 50 分)解释随Vce 的增大 增大的现象,并说明对应的参数指标。提高MOS 的fT 方法。说明双极减小基区串联电阻和增大击穿电压的相互制约关系,并说明工艺上使用哪些措施消除影响。4.利用 CMOS 传输门D 触发器。5.利用“与平面”和“或平面”构建以下逻辑关系。000 1010010001 1001101010 1000010011 0110000100 1000101101 1111110110 0101011111 0100101
半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。
正确答案:光照射;电子;空穴
半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。
正确答案:光照射;电子;空穴
P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。
正确答案:空穴
半导体中的漂移运动是由于载流子()而引起的。
正确答案:在电场的作用下
半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。
正确答案:电子;空穴;空穴;电子;电子;空穴
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