问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？

放大器上限频率（高频特性）的存在是由于( )的影响造成的。A.耦合电容B.旁路电容C.电阻D.晶体管电容

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当用专用输出结构的PAL设计时序逻辑电路时,必须还要具备有() A、触发器B、晶体管C、MOS管D、电容

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电容型验电器由哪几部分组成？

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电容器的概念是什么？由哪几个部分组成？

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利用JT-1型晶体管特型图示仪，不但可以测试晶体管，还可以测量电容的电容量、电感的电感量。

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静电耦合通常是指干扰改善通过分布电容经行传递。

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动态RAM的基本存储电路是（）。A、双稳态触发器B、电容器C、MOS管D、晶体管

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由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。

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开关电容滤波器包含：（）。A、MOS开关B、MOS运放C、电容D、电阻

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SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

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功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。

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光敏二极管与MOS电容相比，具有（）、（）、（）、（）等优点。

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放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。A、耦合电容和旁路电容的影响B、晶体管极间电容和分布电容的影响C、晶体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点设置不合适

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IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。

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电子点火装置的分类：电感放电式有触点晶体管点火系；电感放电式无触点晶体管点火系；电容放电式有触点晶体管点火系；电容放电式无触点晶体管点火系。

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电子点火装置的分类：电感放电式有触点晶体管点火系；（）无触点晶体管点火系；电容放电式有触点晶体管点火系；电容放电式无触点晶体管点火系。A、电池放电式B、电极放电式C、电感放电式D、电容放电式

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影响放大器下限频率fL的因素是（）。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容

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