全控型器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压称为（）。A、操作过电压B、雷击过电压C、换相过电压D、关断过电压
全控型器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压称为（）。
- A、操作过电压
- B、雷击过电压
- C、换相过电压
- D、关断过电压
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有关晶闸管的特点,说法错误的是()。 A.晶闸管关断时，若两端所加电压是正向电压晶闸管处于截止状态B.晶闸管关断时，若正向电压加到器件上，晶闸管由截止变为导通C.晶闸管导通时，若正向电压继续加在器件上，即使撤掉外电路注入的门极电流IG，晶闸管仍然导通D.晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都会导通
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。