V族杂质在硅锗中电离,故放出电子产生导电导子形成正电中心,称为(),释放电子的过程称为()。依靠()的半导体称为n型半导体。

V族杂质在硅锗中电离,故放出电子产生导电导子形成正电中心,称为(),释放电子的过程称为()。依靠()的半导体称为n型半导体。


相关考题:

在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结

电子为多数载流子的杂质半导体称为()半导体。

硒鼓或感光带由( )制成。A.半导体B.释放电子C.光导材料D.硒、锗或硅

自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。

如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。 A、N型B、P型C、本征

在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。() 此题为判断题(对,错)。

材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体。()

N型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定,所以称为()型半导体。A空穴B电子C光敏D热敏。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

当多数载流子是自由电子时,这种半导体称为N型半导体。

N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体,简称N型半导体。

半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。A、N型B、P型C、本征D、PNP型

在硅(或锗)本征半导体中掺入微量的()元素,就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体,即n型半导体。A、三价B、四价C、五价

在P型半导体中,()是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗

在硅半导体中掺入少量的磷杂质,这种半导体一般称为()型半导体。A、PB、NC、PND、PNP

自然界物质按导电能力分为()三种。纯净的半导体又称为()半导体,用的最多的半导体是硅和锗,它们都具有晶体结构,在纯净半导体中掺入三阶元素后形成空穴P型半导体,掺入五价元素后形成电子N型半导体,半导体受()的影响最大。

半导体中自由电子的数量大大超过“空穴”的数量,成为以自由电子为主的半导体,称为()半导体。A、PN型B、P型C、N型D、NP型

在N型半导体中,()是多数载流子。A、空穴B、硅C、电子D、锗

半导体中的空穴和自由电子数相等,这样的半导体称为()。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结

掺有杂质的半导体称为()。A、本征半导体B、天然半导体C、杂质半导体D、硅半导体

单选题在硅(或锗)本征半导体中掺入微量的()元素,就形成了主要由自由电子导电的电子型半导体,即n型半导体。A三价B四价C五价

问答题N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

填空题空穴为()载流子。自由电子为()载流子的杂质半导体称为P型半导体。

填空题自由电子为()载流子,空穴为()载流子的杂质半导体称为()半导体。