纯净的半导体中,自由电子和空穴数目有限,因而导电能力差。但如果在其中掺以杂质,则导电能力会大大提高

纯净的半导体中,自由电子和空穴数目有限,因而导电能力差。但如果在其中掺以杂质,则导电能力会大大提高


相关考题:

半导体中的“空穴”数量大大超过自由电子的数量,成为以“空穴”导电为主的半导体,称为P型半导体。() 此题为判断题(对,错)。

P型半导体中,自由电子的数目少于空穴的数目,其导电能力主要由空穴决定,所以称为()型半导体。A空穴B电子C光敏D热敏。

N型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定,所以称为()型半导体。A空穴B电子C光敏D热敏。

纯净的半导体中,()有限,因而导电能力差。

N型半导体中,电子数目少于空穴数目,其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

半导体中的“空穴”数量大大超过自由电子的数量,成为以“空穴”导电为主的半导体,称为()半导体。A、N型B、P型C、PN型D、NP型

半导体导电的主要特点是()。A、自由电子导电B、空穴导电C、两者同时导电D、离子导电

关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

自由电子和空穴同时参与导电,是半导体导电的基本特征。()

P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

半导体中的导电方式的最大特点是:()A、自由电子导电B、离子导电C、空穴导电D、A或C

P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

在本征半导体中,因为有自由电子和空穴两种载流子,所以其导电能力很强。

温度升高后,在纯净的半导体中()A、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B、空穴增多,自由电子数目不变C、自由电子增多,空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变

半导体导电的主要特点是()。A、自由电子导电;B、空穴导电;C、自由电子和空穴同时导电;D、离子导电。

N型半导体以()导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子

在纯净的半导体中,掺微量杂质则导电能力会()在P型半导体和N型半导体之交界处的薄层叫()。

半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体

P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体

判断题自由电子和空穴同时参与导电,是半导体导电的基本特征。()A对B错

单选题关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

单选题关于P、N型半导体内参与导电的介质,下列说法最为合适的是()。A自由电子、空穴、位于晶格上的离子B无论P型还是N型半导体,自由电子、空穴都是导电介质C对于P型半导体,空穴是唯一的导电介质D对于N型半导体,空穴是唯一的导电介质

单选题半导体中的导电方式的最大特点是:()A自由电子导电B离子导电C空穴导电DA或C

单选题P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A空穴;空穴B空穴;自由电子C自由电子;空穴D自由电子;自由电子

单选题关于P型、N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是()。A无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

单选题半导体导电的主要特点是()。A自由电子导电B空穴导电C两者同时导电D离子导电