tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。A对B错
一般来说，被试设备的体积电容愈大，或局部集中缺陷的范围愈小，总体tanδ的数值增加也就愈小，对缺陷的反映愈不灵敏。A对B错
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错
M型介质试验器被试品测试支路包括被试品的等值电阻、等值电容及测量用电阻。A对B错
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A对B错
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错
当被试品本身电容量较大时，可采用串并联谐振法进行交流耐压试验。
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
一般来说，被试设备的体积电容愈大，或局部集中缺陷的范围愈小，总体tanδ的数值增加也就愈小，对缺陷的反映愈不灵敏。
M型介质试验器被试品测试支路包括被试品的等值电阻、等值电容及测量用电阻。
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。
tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
具有较大电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后，应对被试品进行（）。A、隔离B、短路C、接地放电
测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。A、试品电容量较大，影响较小B、试品电容量较大，影响较大C、与试品电容量无关
单选题tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）A良好绝缘B绝缘中存在气隙C绝缘受潮
判断题具有较大的电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后，应对被试品进行接地放电。A对B错
判断题tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。A对B错
判断题西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
单选题西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A正接线B反接线C交叉接线
判断题当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错