tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。A对B错
当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A对B错
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。A对B错
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A对B错
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错
当被试品本身电容量较大时，可采用串并联谐振法进行交流耐压试验。
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。
tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮
温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。
具有较大电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后，应对被试品进行（）。A、隔离B、短路C、接地放电
测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。A、试品电容量较大，影响较小B、试品电容量较大，影响较大C、与试品电容量无关
判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A对B错
单选题tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）A良好绝缘B绝缘中存在气隙C绝缘受潮
判断题温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。A对B错
判断题tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。A对B错
判断题当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错
填空题tanδ能反映绝缘的（）和小电容试品中的严重（）。由随（）的变化曲线，可判断绝缘是否受潮、含有气泡及老化的程度。
判断题当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A对B错