判断题当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错

判断题
当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
A

B


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。A对B错

当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。A对B错

当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

温度对tanδ测试结果具有较大影响,一般同一被试设备,tanδ随温度的升高而升高。A对B错

当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A对B错

当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错

当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错

当被试品本身电容量较大时,可采用串并联谐振法进行交流耐压试验。

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。

当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。

当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。

当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。

当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。

tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮

温度对tanδ测试结果具有较大影响,一般同一被试设备,tanδ随温度的升高而升高。

具有较大电感或对地电容的被试品在测量直流电阻后,应对被试品进行()。A、隔离B、短路C、接地放电

测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样,试品的表面泄漏对测量结果有一定影响,并且()。A、试品电容量较大,影响较小B、试品电容量较大,影响较大C、与试品电容量无关

判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A对B错

单选题tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()A良好绝缘B绝缘中存在气隙C绝缘受潮

判断题温度对tanδ测试结果具有较大影响,一般同一被试设备,tanδ随温度的升高而升高。A对B错

判断题tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。A对B错

判断题当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错

填空题tanδ能反映绝缘的()和小电容试品中的严重()。由随()的变化曲线,可判断绝缘是否受潮、含有气泡及老化的程度。

判断题当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。A对B错