在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )
QSl型西林电桥正接线适用于被试品一端接地的情况。( )
用QS－1型西林电桥反接线测量时,试验电压不能超过()KV,而正接线测量时却()限制。
用西林电桥测试tanδ时消除表面泄漏电流的接线方法是利用（）将表面泄漏电流直接回流到试验电源。A短接线B屏蔽环C分流器
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错
采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A对B错
用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
西林电桥测试tanδ时，升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。
在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
西林电桥采用正接线时，电桥处于低电压，操作比较安全，电桥内部不受（）影响，但被试品对地必须绝缘。A、大电流B、高电压C、强电场D、磁场
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩
采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A、低B、高C、相等
西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
用电桥法测量直流电阻，当被试电阻在10Ω以上时，一般采用（）测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥
用电桥法测量直流电阻，当被试电阻在10以上时，一般采用（）测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥D、兆欧表
用电桥法测量直流电阻，当被测试电阻在10Ω以上时，一般采用（）法测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥D、都不对
判断题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。A对B错
单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用反接法（）。A可以试品一端接地B试品设在高压端C不适用于现场试验D操作方便
单选题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A低B高C相等
单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时，采用正接法（）。A需要试品两端对地绝缘B试品设在低压端C适用于现场试验D需要注意操作人员安全
填空题西林电桥测试ta118时采用（）时适用于试品整体与地隔离时的测量。
单选题西林电桥测试tanδ时采用（）时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A正接线B反接线C交叉接线
判断题在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A对B错