当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A对B错
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。A对B错
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A对B错
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A对B错
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错
西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。
当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。
M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P，则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。
当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。
tanδ测试时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线，则试品属于（）。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。
对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而基本不变。
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成（）。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系
有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn，若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的（）。A、最大值B、最小值C、平均值D、某介于最大值与最小值之间的值
按提高运行电压需要来确定补偿容量时应使用（）。A、QC=PCOSφB、Qc=P（tanφ1-tanφ3）C、Qc=U2ΔU/XD、C=P（tanφ1-tanφ2）/2πfU3
判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。A对B错
判断题对于良好绝缘的Tan6测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A对B错
单选题于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而（）。A升高B降低C基本不变
判断题对于良好绝缘的tanδ测试，在额定电压以下时，随着试验电压U的升高而降低。A对B错
判断题当试品绝缘中存在气隙时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错
判断题当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错
判断题当试品绝缘受潮时，随着试验电压U的变化，tanδ值呈开口环曲线。A对B错