MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A、栅极（G）B、漏极D.C、C.基极D、源极（S）

MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）

  • A、栅极（G）
  • B、漏极D.
  • C、C.基极
  • D、源极（S）

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vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
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结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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晶体三极管有三个电极，分别为基极、（）和集电极。
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晶闸管有三个电极，即阳极、阴极和（）。
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单结晶体管有（）。A、两个PN结，三个电极B、一个PN结，三个电极C、三个PN结，二个电极D、三个PN结，三个电极
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单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
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MOS管
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单结晶体管有三个电极，符号与三极管一样。
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MOS管的栅极可与双极型三极管的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射集D、发射极或集电极
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MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
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MOS管在不使用时应避免（）极悬空，务必将各电极短接。
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结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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MOS管D极的功能相当于一般晶体管的集电极。
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衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
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UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
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某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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单选题单结晶体管有（）。A两个PN结，三个电极B一个PN结，三个电极C三个PN结，二个电极D三个PN结，三个电极
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问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
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填空题在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。
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多选题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
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单选题晶闸管有（）。A三个电极两个PN结B三个电极三个PN结C两个电极三个PN结D两个电极两个PN结
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单选题MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A栅极（G）B漏极D.CC.基极D源极（S）
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