概念的限制是通过()。 A、增加概念的内涵以缩小概念的外延B、减少概念的内涵以扩大概念的外延C、增加概念的内涵以扩大概念的外延D、减少概念的内涵以缩小概念的外延
在下定义时,如果被定义项的外延大于定义项的外延,那么就会犯()的逻辑错误。
在划分时,如果划分的母项外延大于划分子项外延之和,就要犯()的错误;违背“每次划分必须按同一标准进行”的规则,就会犯()的错误。
每一个概念都包括内涵与外延两个方面。概念的内涵和外延的关系是( )A.内涵越大，外延越大B.内涵越小，外延越小C.内涵越大，外延越小D.内涵越小，外延越大
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
在SOP中，断定全部外延的是（），没有断定全部外延的是（）。
硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
划分后各子项外延之和大于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。
讲清概念的方法是（）。A、扩大外延、扩大内涵B、扩大外延，减少内涵C、减少外延、减少内涵D、减少外延，扩大内涵
“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
下定义时，如果被定义项的外延大于定义项的外延，那么就会犯（）的逻辑错误。
划分时，如果划分母项的外延大于划分各子项外延之和，就要犯（ ）的错误；违背“每次划分必须按同一标准进行”的规则，就会犯（）的错误。
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
单选题半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A①②④B①②③④C②③④D③④
填空题下定义时，如果被定义项的外延大于定义项的外延，那么就会犯（）的逻辑错误。
填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
填空题划分时，如果划分母项的外延大于划分各子项外延之和，就要犯（ ）的错误；违背“每次划分必须按同一标准进行”的规则，就会犯（）的错误。
问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？
问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？
填空题“多出子项”指的是子项的外延之和（）母项的外延；“划分不全”指的是子项的外延之和（）母项的外延。
问答题简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。
填空题硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
填空题划分后各子项外延之和大于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。划分后各子项外延之和小于母项外延，就会犯（）的逻辑错误。