有关电力MOSFET的说法错误的是()。 A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
填空题功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”