有关电力晶体管的说法错误的是()。 A.驱动电流较小B.开关时间短C.开关损耗小D.易受二次击穿而损坏
用晶体管图示仪观察晶体三极管二次击穿前所出现的主要征兆有哪两种？
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
正常使用时，晶闸管上加的反向电压要远离反向击穿电压。
电力晶体管的缺点是（）。A、功率容量小B、必须具备专门的强迫换流电路C、具有线性放大特性D、易受二次击穿而损坏
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
SS7E型电力机车上，高压电压互感器在使用中，二次侧绕组的一端（x1）和外壳要可靠接地，以防一次侧绕组放电或击穿时，高电压进入二次侧测量电路，危及仪表和人身安全。
为防止变极距型电容式传感器在使用时被击穿，可以在两电容极板间放入（）。A、铜片B、银片C、云母片D、导线
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A、失控B、二次击穿C、不能控制关断D、不能控制开通
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
对于二次雷达，为了提高晶体管的发射能力，防止由于结温的升高导致晶体管烧毁，占空比越高越好。
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
要造成击穿，必须要有足够的电压和充分的电压作用时间。
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
单选题电力晶体管在使用时，要防止（）。A二次击穿B静电击穿C时间久而失效D工作在开关状态
单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A一次击穿B二次击穿C临界饱和D反向截至
单选题电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A一次击穿B二次击穿C临界饱和D反向截止
判断题使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。A对B错
问答题简述晶体管逆变器的电路中采取奶协措施来防止晶体管被击穿的故障？